MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型。本文金誉半导体就结构构方面给大家进行简单的描述介绍。

首先，MOS管又可分为2种种类：N型和P型。如下图所示：

解释1：N型

以N型管为例子，2端为操纵端，称之为“栅压”；3端通常接地装置，称之为“源极”;源极工作电压记作Vss，1线接正工作电压，称之为“漏极”，漏极工作电压记作VDD。使得1端与3端导通，栅压2上应加高电平。

解释2：P型

P型和N型相反，大家可以依据此图理解P型都是反过来的。因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。对P型管，栅压、源极、漏极各自为5端、4端、6端。使得4端与6端导通，栅压5得加低电平。

在CMOS加工工艺做成的逻辑性元器件或单片机设计中，N型管与P型管通常是成对发生的。与此同时发生的这两个CMOS管，无论怎样，只需一只关断，另一只则不导通(即“截至”或“关闭”)，因此称之为“相辅相成型CMOS管”。

解释3：沟道

上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，所以mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。

其结构示意图：

解释4：金属氧化物膜

图中有指示，这个膜是绝缘的，用来电气隔离，使得栅极只能形成电场，不能通过直流电，因此是用电压控制的。在直流电气上，栅极和源漏极是断路。不难理解，这个膜越薄，电场作用越好、坎压越小、相同栅极电压时导通能力越强。坏处是：越容易击穿、工艺制作难度越大而价格越贵。

解释5：左右对称

图示左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。

最后我们来讲讲原理和实物的区别，书面上我们通常看到的都是原理图，实际的元件增加了源-漏之间跨接的保护二极管，来区分源极和漏极。实际中，p型的衬底是接正电源的，使得栅极预先成为相对负电压，因此p型的管子，栅极不用加负电压了，接地就能保证导通。相当于预先形成了不能导通的沟道，严格讲应该是耗尽型了。好处是明显的，应用时抛开了负电压。

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